Name: IMT65R010M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R010M2HXUMA1TR-ND
Price: 198.4375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMT65R010M2HXUMA1
DigiKeys varenummer	448-IMT65R010M2HXUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMT65R010M2HXUMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMT65R010M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMT65R010M2HXUMA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Producentens standard leveringstid	61 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 168A (Tc) 681W (Tc) Overflademontering PG-HSOF-8-2
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 9,1mOhm @ 92,1A, 20V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 18,7mA
Serie CoolSiC™	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 113 nC @ 18 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +23V, -7V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 4001 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 681W (Tc)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 650 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 168A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-HSOF-8-2
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 15V, 20V	Pakke/hus 8-PowerSFN