Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 204.7875 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMBG65R010M2HXTMA1
DigiKeys varenummer	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMBG65R010M2HXTMA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Producentens standard leveringstid	61 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Overflademontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMBG65R010M2HXTMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 9,1mOhm @ 92,1A, 20V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 18,7mA
Serie CoolSiC™	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 112 nC @ 18 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +23V, -7V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 4001 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 535W (Tc)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 650 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 158A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-TO263-7-12
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 15V, 20V	Pakke/hus TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA