Name: IMBG65R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 270.1625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMBG65R007M2HXTMA1
DigiKeys varenummer	448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMBG65R007M2HXTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Producentens standard leveringstid	61 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Overflademontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMBG65R007M2HXTMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 2,97 mA
Mfr Infineon Technologies	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 179 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ Gen 2	Vgs (maks.) +23V, -7V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 6359 pF @ 400 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 789W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 650 V	Leverandørs enhedspakning PG-TO263-7-12
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 238A (Tc)	Pakke/hus TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 15V, 20V	Grundlæggende varenummer IMBG65R007
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 8,5mOhm @ 146,3A, 18V