FET-, MOSFET-arrays

Resultater : 5.673
Producenter
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Emballage
Afskåret tape (CT)BakkeBoksBulkDigi-Reel®RørTape & Reel (TR)
Produktstatus
AktivFås ikke længere hos Digi-KeyForældetIkke til nye designLast Time Buy
Teknologi
-GaNFET (galliumnitrid)MOSFET (metaloxid)SiCFET (siliciumcarbid)Siliciumcarbid (SiC)
Konfiguration
2 N- og 2 P-kanal2 N- og 2 P-kanal (fuld bro)2 N- og 2 P-kanal matchende par2 N-kanal2 N-kanal (dobbelt Buck Chopper)2 N-kanal (dobbelt)2 N-kanal (dobbelt) asymmetrisk2 N-kanal (dobbelt) fælles dræn2 N-kanal (dobbelt) fælles kilde2 N-kanal (dobbelt) matchende par2 N-kanal (dobbelt), Schottky2 N-kanal (fasetrin)
FET-funktionalitet
-Logikniveau-gateLogikniveau-gate, 0,9V drevLogikniveau-gate, 1,2V drevLogikniveau-gate, 1,5V drevLogikniveau-gate, 1,8V drevLogikniveau-gate, 2,5V drevLogikniveau-gate, 4,5V drevLogikniveau-gate, 4V drevLogikniveau-gate, 5V drevLogikniveau-port, drives af 10VSiliciumcarbid (SiC)Udtømningstilstand
Afladning til kildespænding (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
0,46mOhm @ 160A, 12V0,762mOhm @ 160A, 12V0,765mOhm @ 160A, 12V, 0,580mOhm @ 160A, 12V0,765mOhm @ 160A, 12V, 0,710mOhm @ 160A, 12V0,8mOhm @ 1200A, 10V0,88mOhm @ 160A, 14V, 0,71mOhm @ 160A, 14V0,88mOhm @ 50A, 10V0,95mOhm @ 30A, 10V0,95mOhm @ 8A, 4,5V0,99mOhm @ 80A, 10V, 1,35mOhm @ 80A, 10V1,039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V1,2mOhm @ 800A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
10mV @ 10µA10mV @ 1µA10mV @ 20µA20mV @ 10µA20mV @ 1µA20mV @ 20µA180mV @ 1µA200mV @ 2,8A, 200mV @ 1,9A220mV @ 1µA360mV @ 1µA380mV @ 1µA400mV @ 250µA (min.)
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
0,4pC @ 4,5V, 7,3nC @ 4,5V0,45pC @ 4,5V0,16nC @ 5V, 0,044nC @ 5V0,22nC @ 5V, 0,044nC @ 5V0,26nC @ 2,5V0,28nC @ 4,5V0,28nC @ 4,5V, 0,3nC @ 4,5V0,3nC @ 4,5V0,3nC @ 4,5V, 0,28nC @ 4,5V0,304nC @ 4,5V0,31nC @ 4,5V0,32nC @ 4,5V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2,5pF @ 5V3pF @ 5V5pF @ 3V6pF @ 3V6,2pF @ 10V6,6pF @ 10V7pF @ 10V7pF @ 3V7,1pF @ 10V7,4pF @ 10V7,5pF @ 10V8,5pF @ 3V
Effekt - Maks.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C
Klasse
-AutomotiveMilitær
Kvalifikation
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Monteringstype
-ChassismonteringHulmonteringOverflademonteringOverflademontering, Fugtbar side
Pakke/hus
4-SMD, ingen leder4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN udækket hjørne4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Leverandørs enhedspakning
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-chip LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lagermuligheder
Miljømuligheder
Medier
MARKEDSPLADSPRODUKT
5.673Resultater

Viser
af 5.673
Sammenlign
Mfr varenr.
Tilgængelig antal
Pris
Serie
Pakke
Produktstatus
Teknologi
Konfiguration
FET-funktionalitet
Afladning til kildespænding (Vdss)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) @ Id
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
Effekt - Maks.
Driftstemperatur
Klasse
Kvalifikation
Monteringstype
Pakke/hus
Leverandørs enhedspakning
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
787.889
På lager
1 : 1,81000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,39861 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate, 1,2V drev
50V
200mA
2,2Ohm @ 200mA, 4,5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
357.848
På lager
1 : 1,81000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,40747 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate, 0,9V drev
50V
200mA
2,2Ohm @ 200mA, 4,5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
249.708
På lager
392.500
Fabrik
1 : 1,81000 kr.
Afskåret tape (CT)
2.500 : 0,54890 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 P-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
30V
3,9A
70mOhm @ 5,3A, 10V
3V @ 250µA
11nC @ 10V
563pF @ 25V
1,1W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
149.805
På lager
90.000
Fabrik
1 : 2,02000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,82334 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
20V
540mA
550mOhm @ 540mA, 4,5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
225mW
-65°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170.197
På lager
1 : 2,09000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,83640 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal, Fælles drain
Logikniveau-gate
30V
6A, 5,5A
30mOhm @ 6A, 10V
2,4V @ 250µA
6,3nC @ 10V
310pF @ 15V
2W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
162.472
På lager
1 : 2,37000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,42910 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
-
60V
230mA
7,5Ohm @ 50mA, 5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71.155
På lager
1 : 2,44000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,66103 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
20V
610mA (Ta)
396mOhm @ 500mA, 4,5V
1V @ 250µA
2nC @ 8V
43pF @ 10V
220mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
284.021
På lager
1 : 2,51000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,44938 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate, 1,5V drev
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm @ 100mA, 4,5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
97.770
På lager
1 : 2,51000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,67205 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
-
30V
250mA
1,5Ohm @ 10mA, 4V
1,5V @ 100µA
1,3nC @ 5V
33pF @ 5V
272mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
80.560
På lager
1 : 2,51000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,41850 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
60V
295mA
1,6Ohm @ 500mA, 10V
2,5V @ 250µA
0,9nC @ 4,5V
26pF @ 20V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
20.623
På lager
1 : 2,51000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,68418 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
20V
950mA
350mOhm @ 950mA, 4,5V
1,2V @ 1,6µA
0,32nC @ 4,5V
63pF @ 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Overflademontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
17.974
På lager
1 : 2,51000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,44980 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Ikke til nye design
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
60V
320mA
1,6Ohm @ 500mA, 10V
2,4V @ 250µA
0,8nC @ 4,5V
50pF @ 10V
420mW
150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q100
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
11.559
På lager
1 : 2,65000 kr.
Afskåret tape (CT)
8.000 : 0,56670 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate, 0,9V drev
50V
200mA
2,2Ohm @ 200mA, 4,5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
EMT6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
89.924
På lager
1 : 2,72000 kr.
Afskåret tape (CT)
4.000 : 0,73595 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal
Logikniveau-gate
20V
540mA, 430mA
550mOhm @ 540mA, 4,5V
1V @ 250µA
2,5nC @ 4,5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
52.077
På lager
918.000
Fabrik
1 : 2,72000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,59603 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal
Logikniveau-gate
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm @ 3,4A, 10V
1,5V @ 250µA
12,3nC @ 10V
422pF @ 15V
850mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-23-6 tynd, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
432.286
På lager
1.773.000
Fabrik
1 : 2,79000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,75248 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal
Logikniveau-gate
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm @ 500mA, 10V
2,5V @ 250µA
0,3nC @ 4,5V
30pF @ 25V, 25pF @ 25V
450mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
167.442
På lager
2.598.000
Fabrik
1 : 2,79000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,50128 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal
Logikniveau-gate
20V
1,03A, 700mA
480mOhm @ 200mA, 5V
900mV @ 250µA
0,5nC @ 4,5V
37,1pF @ 10V
450mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
89.797
På lager
1 : 2,79000 kr.
Afskåret tape (CT)
4.000 : 0,50226 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
30V
100mA
4Ohm @ 10mA, 4V
1,5V @ 100µA
-
8,5pF @ 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64.747
På lager
1 : 2,79000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,75248 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
-
60V
280mA
7,5Ohm @ 50mA, 5V
2,5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
150mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
24.382
På lager
1 : 2,79000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,75137 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal
-
30V
5A
32mOhm @ 5,8A, 10V
1,5V @ 250µA
-
1155pF @ 15V
1,4W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-VDFN udækket hjørne
DFN2020-6L
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
10.701
På lager
1 : 2,79000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,94906 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
-
30V
6,2A
30mOhm @ 5,8A, 10V
2V @ 250µA
10,6nC @ 10V
500pF @ 15V
1W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-UDFN udækket hjørne
U-DFN2020-6 (Type B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
94.740
På lager
1 : 2,86000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,51490 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
60V
300mA
3Ohm @ 500mA, 10V
2,5V @ 250µA
0,6nC @ 10V
20pF @ 25V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
19.164
På lager
1 : 2,86000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,77121 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal
Logikniveau-gate
30V
700mA, 500mA
388mOhm @ 600mA, 10V
2,5V @ 250µA
1,5nC @ 10V
28pF @ 15V
340mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
346.412
På lager
1 : 2,93000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,52321 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
60V
320mA
1,6Ohm @ 300mA, 10V
1,5V @ 250µA
0,8nC @ 4,5V
50pF @ 10V
420mW
150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
256.727
På lager
1 : 2,93000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,53193 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
60V
300mA (Ta)
1,6Ohm @ 500mA, 10V
2,1V @ 250µA
0,6nC @ 4,5V
50pF @ 10V
295mW
150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
Viser
af 5.673

FET-, MOSFET-arrays


Felteffekttransistorer (FET) er elektroniske enheder, der bruger et elektrisk felt til at kontrollere strømmen. Påføring af en spænding til gate-terminalen ændrer konduktiviteten mellem drain- og source-terminalerne. FET'er er også kendt som unipolære transistorer, da de involverer operationer med en enkelt ladningsbærer. Det vil sige, FET'er bruger enten elektroner eller huller som ladningsbærere i deres drift, men ikke begge dele. Felteffekttransistorer viser generelt meget høj inputimpedans ved lave frekvenser.