Name: IMCQ120R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 105.775 DKK
Availability: InStock

Behøver du hjælp?

Feedback

Om DigiKey Markedsplads Sælg på DigiKey.com Karrierer Site-kort Digitale løsninger Nyhedsrum

Hjælp og support Ordrestatus Forsendelsesomkostninger/muligheder Returnerings- og ordreproblemer

(+45) 35 15 85 67 eu.support@digikey.com

IMCQ120R026M2HXTMA1
DigiKeys varenummer	448-IMCQ120R026M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMCQ120R026M2HXTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMCQ120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMCQ120R026M2HXTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 82A 22PWRBSOP
Producentens standard leveringstid	26 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 82A (Tc) 405W (Tc) Overflademontering PG-HDSOP-22-3
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMCQ120R026M2HXTMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	1200 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	82A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	25,4mOhm @ 27A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,1V @ 8,6 mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	63.4 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2540 pF @ 800 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	405W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-HDSOP-22-3
Pakke/hus	22-PowerBSOP-modul

Enhedspris uden moms:	84,62000 kr.
Enhedspris med moms:	105,77500 kr.

IMCQ120R026M2HXTMA1