Name: IMCQ120R005M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND
Price: 419.075 DKK
Availability: InStock

Nyt produkt

N-kanal 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Overflademontering PG-HDSOP-22-3

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMCQ120R005M2HXUMA1
DigiKeys varenummer	448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies Americas Corp.
Producentens varenummer	IMCQ120R005M2HXUMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 342A 22PWRBSOP
Producentens standard leveringstid	49 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Overflademontering PG-HDSOP-22-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 5mOhm @ 138,2A, 18V
Mfr Infineon Technologies Americas Corp.	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,1V @ 43,4mA
Serie CoolSiC™ G2	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 261 nC @ 18 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +23V, -7V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 9760 pF @ 800 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 1364W (Tc)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 1200 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 342A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-HDSOP-22-3
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 15V, 18V	Pakke/hus 22-PowerBSOP-modul