Name: IMCQ120R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 281.4 DKK
Availability: OutOfStock

N-kanal 1200 V 195A (Tc) 880W (Tc) Overflademontering PG-HDSOP-22

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMCQ120R010M2HXTMA1
DigiKeys varenummer	448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMCQ120R010M2HXTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 195A 22PWRBSOP
Producentens standard leveringstid	54 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 195A (Tc) 880W (Tc) Overflademontering PG-HDSOP-22
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMCQ120R010M2HXTMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 69A, 18V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,1V @ 21,7mA
Serie CoolSiC™ G2	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 150.1 nC @ 18 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +23V, -7V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 6320 pF @ 800 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 880W (Tc)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 1200 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 195A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-HDSOP-22
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 15V, 18V	Pakke/hus 22-PowerBSOP-module