IPP65R190E6XKSA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.
Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 1
Enhedspris : 21,29000 kr.
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 776
Enhedspris : 39,86000 kr.
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 1.659
Enhedspris : 34,70000 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhedspris : 34,89000 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhedspris : 8,10720 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 943
Enhedspris : 25,35000 kr.
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 23
Enhedspris : 30,83000 kr.
Datablad
PG-TO220-3-1
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPP65R190E6XKSA1

DigiKeys varenummer
IPP65R190E6XKSA1-ND
Producenter
Producentens varenummer
IPP65R190E6XKSA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 650 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Hulmontering PG-TO220-3
Datablad
 Datablad
EDA/CAD-modeller
IPP65R190E6XKSA1 Modeller
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Mfr
Serie
Emballage
Rør
Varestatus
Forældet
FET-type
Teknologi
Afladning til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
3,5V @ 730µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1620 pF @ 100 V
FET-funktionalitet
-
Effektspredning (maks.)
151W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Klasse
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Hulmontering
Leverandørs enhedspakning
PG-TO220-3
Pakke/hus
Grundlæggende varenummer
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

Forældet
Markedplads lager: 18.890 Se nu
Dette produkt produceres ikke længere. Se Erstatningsvarer.

Other Suppliers on DigiKey

18.890På lager
Sendes fra Rochester Electronics, LLC