Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 16.525 DKK
Availability: InStock

Behøver du hjælp?

Feedback

Om DigiKey Markedsplads Sælg på DigiKey.com Karrierer Site-kort Digitale løsninger Nyhedsrum

Hjælp og support Ordrestatus Forsendelsesomkostninger/muligheder Returnerings- og ordreproblemer

(+45) 35 15 85 67 eu.support@digikey.com

IPD60N10S4L12ATMA1
DigiKeys varenummer	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPD60N10S4L12ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Producentens standard leveringstid	9 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Overflademontering PG-TO252-3-313
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPD60N10S4L12ATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,1V @ 46µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	3170 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	94W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO252-3-313
Pakke/hus	TO-252-3, DPAK (2 ledere + tab), SC-63
Grundlæggende varenummer	IPD60N10

Enhedspris uden moms:	13,22000 kr.
Enhedspris med moms:	16,52500 kr.

IPD60N10S4L12ATMA1