Name: IPD180N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD180N10N3GATMA1TR-ND
Price: 16.8 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPD180N10N3GATMA1
DigiKeys varenummer	IPD180N10N3GATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IPD180N10N3GATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) IPD180N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPD180N10N3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Producentens standard leveringstid	19 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Overflademontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPD180N10N3GATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 33µA
Mfr Infineon Technologies	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1800 pF @ 50 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 71W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Leverandørs enhedspakning PG-TO252-3
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 43A (Tc)	Pakke/hus TO-252-3, DPAK (2 ledere + tab), SC-63
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 6V, 10V	Grundlæggende varenummer IPD180
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 33A, 10V