Name: IMW65R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Price: 286.525 DKK
Availability: OutOfStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMW65R007M2HXKSA1
DigiKeys varenummer	448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMW65R007M2HXKSA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Producentens standard leveringstid	61 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 171A (Tc) 625W (Tc) Hulmontering PG-TO247-3-U06
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMW65R007M2HXKSA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 6,1mOhm @ 146,3A, 20V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 29,7 mA
Serie CoolSiC™	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 179 nC @ 18 V
Emballage Rør	Vgs (maks.) +23V, -7V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 6359 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 625W (Tc)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 650 V	Monteringstype Hulmontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 171A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-TO247-3-U06
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 15V, 20V	Pakke/hus TO-247-3