Name: IMW65R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Price: 222.325 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMW65R007M2HXKSA1
DigiKeys varenummer	448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMW65R007M2HXKSA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Producentens standard leveringstid	23 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 171A (Tc) 625W (Tc) Hulmontering PG-TO247-3-U06
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMW65R007M2HXKSA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballage	Rør
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	171A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 20V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	6,1mOhm @ 146,3A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 29,7 mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	179 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	6359 pF @ 400 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	625W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO247-3-U06
Pakke/hus	TO-247-3