Name: IMT65R060M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND
Price: 50.8 DKK
Availability: InStock

Nyt produkt

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMT65R060M2HXUMA1
DigiKeys varenummer	448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMT65R060M2HXUMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMT65R060M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMT65R060M2HXUMA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Producentens standard leveringstid	8 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 41,4A (Tc) 208W (Tc) Overflademontering PG-HSOF-8-2
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMT65R060M2HXUMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	41,4A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 20V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	55mOhm @ 15,4A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 3,1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	19 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	669 pF @ 400 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	208W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-HSOF-8-2
Pakke/hus	8-PowerSFN