Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 22.5125 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IGB110S10S1XTMA1
DigiKeys varenummer	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IGB110S10S1XTMA1
Beskrivelse	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Producentens standard leveringstid	25 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Overflademontering PG-TSON-4-2
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IGB110S10S1XTMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 5V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,9V @ 3mA
Serie CoolGaN™	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 3.4 nC @ 5 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±6,5V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 340 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 2,5W (Ta), 15W (Tc)
Teknologi GaNFET (galliumnitrid)	Driftstemperatur -40°C – 150°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 9A (Ta), 23A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-TSON-4-2
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 5V	Pakke/hus 4-PowerTDFN

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 4.491

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®