Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 19.375 DKK
Availability: InStock

IGB110S10S1XTMA1
DigiKeys varenummer	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IGB110S10S1XTMA1
Beskrivelse	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Producentens standard leveringstid	25 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Overflademontering PG-TSON-4-2
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IGB110S10S1XTMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	9A (Ta), 23A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	5V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,9V @ 3mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	3.4 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±6,5V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	340 pF @ 50 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TSON-4-2
Pakke/hus	4-PowerTDFN

Antal	Enhedspris	Udv. pris
5.000	4,18630 kr.	20.931,50 kr.
10.000	3,97454 kr.	39.745,40 kr.

Enhedspris uden moms:	15,50000 kr.
Enhedspris med moms:	19,37500 kr.

IGB110S10S1XTMA1