Name: IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S101XTMA1TR-ND
Price: 18 DKK
Availability: InStock

Nyt produkt

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IGB110S101XTMA1
DigiKeys varenummer	448-IGB110S101XTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGB110S101XTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IGB110S101XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IGB110S101XTMA1
Beskrivelse	MV GAN DISCRETES
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Overflademontering PG-VSON-4-3
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IGB110S101XTMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	9A (Ta), 23A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	5V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,9V @ 3mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	4.4 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±6,5V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	340 pF @ 50 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-VSON-4-3
Pakke/hus	4-PowerVDFN