Name: BSZ0901NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSIATMA1TR-ND
Price: 13.7625 DKK
Availability: InStock

Behøver du hjælp?

Feedback

Om DigiKey Markedsplads Sælg på DigiKey.com Karrierer Site-kort Digitale løsninger Nyhedsrum

Hjælp og support Ordrestatus Forsendelsesomkostninger/muligheder Returnerings- og ordreproblemer

(+45) 35 15 85 67 eu.support@digikey.com

BSZ0901NSIATMA1
DigiKeys varenummer	BSZ0901NSIATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) BSZ0901NSIATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) BSZ0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	BSZ0901NSIATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Producentens standard leveringstid	18 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Overflademontering PG-TSDSON-8-FL
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	BSZ0901NSIATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	25A (Ta), 40A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	2,1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2600 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	Schottky-diode (krop)
Effektspredning (maks.)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TSDSON-8-FL
Pakke/hus	8-PowerTDFN
Grundlæggende varenummer	BSZ0901

Antal	Enhedspris	Udv. pris
5.000	2,73560 kr.	13.678,00 kr.
10.000	2,73112 kr.	27.311,20 kr.

Enhedspris uden moms:	11,01000 kr.
Enhedspris med moms:	13,76250 kr.

BSZ0901NSIATMA1