VideoLibrary

Paralleling GaN FETs

Paralleling GaN FETs from Nexperia.

4/14/2025 7:28:33 PM

Part List

BilledeManufacturer Part NumberBeskrivelseTilgængeligt antal PrisVis detaljer
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$73.62Vis detaljer
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Immediate$89.44Vis detaljer
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247314 - Immediate$71.31Vis detaljer
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS601 - Immediate$90.86Vis detaljer
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$90.86Vis detaljer

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Nexperia cascode GaN FETs
Nexperia cascode GaN FETs

Publish Date: 2025-04-07

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Halvledere med bredt båndgab øger effektiviteten i datacentre Da datacentre har et enormt energibehov, er der behov for strømforsyningsløsninger, der kan reducere strømtab, øge effektiviteten og forbedre den termiske kontrol.
Halvledere med bredt båndgab transformerer transportverdenen Hele transportsektoren er under en radikal forandring med løsninger til el- og hybridbiler og renere massetransport.
Hvorfor og hvordan man anvender GaN felteffekttransistorer til effektive, højere spænding, Switch-Mode Power-applikationer Forbedre effekteffektiviteten og effekttætheden i switch-mode strømforsyningssystemer med højere spænding ved at forstå principperne og korrekt anvendelse af GaN FET'er.