VideoLibrary

Nexperia cascode GaN FETs

As a global expert for high performance Power FETs, Nexperia now introduces high-voltage devices with GaN-on-Silicon FET technology.

4/7/2025 2:03:15 PM

Part List

BilledeManufacturer Part NumberBeskrivelseTilgængeligt antal PrisVis detaljer
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3518 - ImmediateSee Page for PricingVis detaljer
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247284 - Immediate$111.30Vis detaljer
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247127 - Immediate$88.70Vis detaljer
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS719 - Immediate$113.02Vis detaljer
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (847 - Immediate$113.02Vis detaljer

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Halvledere med bredt båndgab øger effektiviteten i datacentre Da datacentre har et enormt energibehov, er der behov for strømforsyningsløsninger, der kan reducere strømtab, øge effektiviteten og forbedre den termiske kontrol.
Halvledere med bredt båndgab transformerer transportverdenen Hele transportsektoren er under en radikal forandring med løsninger til el- og hybridbiler og renere massetransport.
Hvorfor og hvordan man anvender GaN felteffekttransistorer til effektive, højere spænding, Switch-Mode Power-applikationer Forbedre effekteffektiviteten og effekttætheden i switch-mode strømforsyningssystemer med højere spænding ved at forstå principperne og korrekt anvendelse af GaN FET'er.