Name: SQM120N10-3M8_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
Price: 40.575 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SQM120N10-3M8_GE3
DigiKeys varenummer	SQM120N10-3M8_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SQM120N10-3M8_GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SQM120N10-3M8_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SQM120N10-3M8_GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Producentens standard leveringstid	22 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Overflademontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SQM120N10-3M8_GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 190 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Serie TrenchFET®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 7230 pF @ 25 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Effektspredning (maks.) 375W (Tc)
Varestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Klasse Automotive
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Kvalifikation AEC-Q101
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 120A (Tc)	Leverandørs enhedspakning TO-263 (D2PAK)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 10V	Pakke/hus TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 3,8mOhm @ 20A, 10V	Grundlæggende varenummer SQM120
Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 250µA

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

Erstatningsvarer (2)

Varenummer	Producenter	Tilgængelig antal	DigiKeys varenummer	Enhedspris	Alternativ type
BUK765R0-100E,118	Nexperia USA Inc.	1.607	1727-7135-1-ND	33,54000 kr.	Direkte
IPB049N08N5ATMA1	Infineon Technologies	8	448-IPB049N08N5ATMA1CT-ND	21,18000 kr.	Similar