Name: SISS5623DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND
Price: 21.075 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISS5623DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISS5623DN-T1-GE3
Beskrivelse	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 60 V 10,5A (Ta), 36,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SISS5623DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,6V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1575 pF @ 30 V
FET-type P-kanal	Effektspredning (maks.) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 60 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 10,5A (Ta), 36,3A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8S
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8S
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 24mOhm @ 10A, 10V	Grundlæggende varenummer SISS5623