Name: SISH615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH615ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 7.6625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISH615ADN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SISH615ADN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISH615ADN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SISH615ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISH615ADN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Producentens standard leveringstid	24 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 20 V 22,1A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	20 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	22,1A (Ta), 35A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	2,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	4,4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	183 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±12V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	5590 pF @ 10 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK® 1212-8SH
Pakke/hus	PowerPAK® 1212-8SH
Grundlæggende varenummer	SISH615