Name: SISH615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH615ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 9.35 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISH615ADN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SISH615ADN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISH615ADN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SISH615ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISH615ADN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Producentens standard leveringstid	38 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 20 V 22,1A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 183 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen III	Vgs (maks.) ±12V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 5590 pF @ 10 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 20 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8SH
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 22,1A (Ta), 35A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8SH
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 2,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SISH615
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 4,4mOhm @ 20A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 39.580

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)