Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3TR-ND
Price: 10.075 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISS23DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISS23DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Producentens standard leveringstid	27 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 20 V 50A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SISS23DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	20 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	1,8V, 4,5V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	4,5mOhm @ 20A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	900mV @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±8V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	8840 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Driftstemperatur	-50°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK® 1212-8S
Pakke/hus	PowerPAK® 1212-8S
Grundlæggende varenummer	SISS23