Name: SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 12.2 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIS890ADN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIS890ADN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SIS890ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIS890ADN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 7,6A (Ta), 24,7A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1330 pF @ 50 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 3,6W (Ta), 39W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 7,6A (Ta), 24,7A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 25,5mOhm @ 10A, 10V	Grundlæggende varenummer SIS890
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA