Name: SIS606BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS606BDN-T1-GE3TR-ND
Price: 19.575 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIS606BDN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SIS606BDN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIS606BDN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SIS606BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIS606BDN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 9,4A (Ta), 35,3A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1470 pF @ 50 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 9,4A (Ta), 35,3A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 7,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SIS606
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 17,4mOhm @ 10A, 10V