Name: SIHB25N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHB25N50E-GE3-ND
Price: 35.8375 DKK
Availability: OutOfStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIHB25N50E-GE3
DigiKeys varenummer	742-SIHB25N50E-GE3-ND
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIHB25N50E-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Producentens standard leveringstid	20 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Overflademontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	-
Emballage	Rør
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	500 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	26A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1980 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	250W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-263 (D2PAK)
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	SIHB25