Name: SIHB100N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB100N60E-GE3-ND
Price: 49.925 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIHB100N60E-GE3
DigiKeys varenummer	SIHB100N60E-GE3-ND
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIHB100N60E-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Producentens standard leveringstid	24 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Overflademontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Serie E	Vgs (maks.) ±30V
Emballage Rør	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1851 pF @ 100 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 208W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 600 V	Leverandørs enhedspakning TO-263 (D2PAK)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 30A (Tc)	Pakke/hus TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 10V	Grundlæggende varenummer SIHB100
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 13A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 658

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Rør