Name: SI4459BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4459BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 12.325 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI4459BDY-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SI4459BDY-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI4459BDY-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SI4459BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI4459BDY-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Producentens standard leveringstid	22 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 30 V 20,5A (Ta), 27,8A (Tc) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) Overflademontering 8-SO
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SI4459BDY-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	20,5A (Ta), 27,8A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	4,9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+20V, -16V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	3490 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,1W (Ta), 5,6W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-SO
Pakke/hus	8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Grundlæggende varenummer	SI4459