Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 23.1375 DKK
Availability: InStock

Nyt produkt

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TPM1R908QM,LQ
DigiKeys varenummer	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Afskåret tape (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TPM1R908QM,LQ
Beskrivelse	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Overflademontering 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	80 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	26A (Ta), 238A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	6V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,9mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 1,2mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	10500 pF @ 40 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3W (Ta), 250W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-SOP Advance (4,9x5,75)
Pakke/hus	8-PowerTDFN