TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete halvlederprodukter

TK65G10N1,RQ det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 6.726

Enhedspris : 14,14000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 1.610

Enhedspris : 17,41000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 150

Enhedspris : 26,05000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TK65G10N1,RQ
DigiKeys varenummer	TK65G10N1RQTR-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TK65G10N1,RQ
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Overflademontering D2PAK
EDA/CAD-modeller	TK65G10N1,RQ Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	65A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	4,5mOhm @ 32,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	5400 pF @ 50 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	156W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	D2PAK
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	TK65G10