IRLML2502GTRPBF Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IRLML2502GTRPBF det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Parametrisk ækvivalent

Infineon Technologies

På lager: 41.410

Enhedspris : 0,39000 kr.

Similar

Diodes Incorporated

På lager: 2.335

Enhedspris : 0,29000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 32.129

Enhedspris : 0,51000 kr.

Similar

Diodes Incorporated

På lager: 17.719

Enhedspris : 0,38000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IRLML2502GTRPBF
DigiKeys varenummer	IRLML2502GTRPBFTR-ND - Tape & Reel (TR) IRLML2502GTRPBFCT-ND - Afskåret tape (CT) IRLML2502GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IRLML2502GTRPBF
Beskrivelse	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 20 V 4,2A (Ta) 1,25W (Ta) Overflademontering Micro3™/SOT-23
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	20 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	4,2A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	2,5V, 4,5V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	45mOhm @ 4,2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,2V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±12V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	740 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	1,25W (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	Micro3™/SOT-23
Pakke/hus	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3