IRFH7110TRPBF Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IRFH7110TRPBF det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Diodes Incorporated

På lager: 0

Enhedspris : 2,46153 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 13.371

Enhedspris : 4,35000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 1.402

Enhedspris : 7,42000 kr.

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 3.576

Enhedspris : 8,90000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IRFH7110TRPBF
DigiKeys varenummer	IRFH7110TRPBFTR-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IRFH7110TRPBF
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 11A (Ta), 58A (Tc) 3,6W (Ta), 104W (Tc) Overflademontering 8-PQFN (5x6)
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	11A (Ta), 58A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	13,5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 100µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	3240 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,6W (Ta), 104W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-PQFN (5x6)
Pakke/hus	8-TQFN eksponeret overflade