IRFB4710PBF det er forældet og fremstilles ikke længere.
Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

IPP114N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
På lager: 334
Enhedspris : 17,16000 kr.
Datablad

Similar

IRFB4410ZPBF
Infineon Technologies
På lager: 1.917
Enhedspris : 13,29000 kr.
Datablad

Similar

CSD19534KCS
Texas Instruments
På lager: 355
Enhedspris : 14,06000 kr.
Datablad

Similar

FDP3652
onsemi
På lager: 2.130
Enhedspris : 17,03000 kr.
Datablad

Similar

HUF75344P3
onsemi
På lager: 538
Enhedspris : 25,61000 kr.
Datablad

Similar

HUF75345P3
onsemi
På lager: 4.648
Enhedspris : 22,96000 kr.
Datablad

Similar

HUF75545P3
onsemi
På lager: 470
Enhedspris : 24,12000 kr.
Datablad

Similar

HUF75645P3
onsemi
På lager: 0
Enhedspris : 24,51000 kr.
Datablad

Similar

IXTP80N10T
IXYS
På lager: 9.902
Enhedspris : 24,19000 kr.
Datablad

Similar

NTP6410ANG
onsemi
På lager: 23
Enhedspris : 27,86000 kr.
Datablad

Similar

STP120NF10
STMicroelectronics
På lager: 17.875
Enhedspris : 31,02000 kr.
Datablad

Similar

STP45N10F7
STMicroelectronics
På lager: 586
Enhedspris : 12,77000 kr.
Datablad

Similar

STP80NF10
STMicroelectronics
På lager: 566
Enhedspris : 26,77000 kr.
Datablad
Se og sammenlign alle erstatningsvarer
IRFB4127PBFXKMA1
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IRFB4710PBF

DigiKeys varenummer
IRFB4710PBF-ND
Producenter
Infineon Technologies
Producentens varenummer
IRFB4710PBF
Beskrivelse
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 100 V 75A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Hulmontering TO-220AB
Datablad
 Datablad
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Mfr
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Emballage
Rør
Varestatus
Forældet
FET-type
N-kanal
Teknologi
MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
5,5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
6160 pF @ 25 V
FET-funktionalitet
-
Effektspredning (maks.)
3,8W (Ta), 200W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Klasse
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Hulmontering
Leverandørs enhedspakning
TO-220AB
Pakke/hus
TO-220-3
Grundlæggende varenummer
IRFB4710
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

Forældet
Dette produkt produceres ikke længere. Se Erstatningsvarer.
Tilhørende produktSe alle
9 Elementer
1EDN7512BXTSA1

1EDN7512BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

3,81000 kr.
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

4,45000 kr.
2ED2184S06FXUMA1

2ED2184S06FXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

11,80000 kr.
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

6,97000 kr.
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

4,84000 kr.
6EDL04N02PRXUMA1

6EDL04N02PRXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

20,51000 kr.
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

13,67000 kr.
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

5,81000 kr.
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

17,03000 kr.
Wellicht bent u ook geïnteresseerd inSe alle
2 Elementer
IPP114N12N3GXKSA1

IPP114N12N3GXKSA1

MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3

Infineon Technologies

17,16000 kr.
IRFB4410ZPBF

IRFB4410ZPBF

MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB

Infineon Technologies

13,29000 kr.