Name: IQE050N08NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 28.1375 DKK
Availability: InStock

N-kanal 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Overflademontering PG-WHTFN-9-1

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IQE050N08NM5CGSCATMA1
DigiKeys varenummer	448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IQE050N08NM5CGSCATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Producentens standard leveringstid	52 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Overflademontering PG-WHTFN-9-1
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IQE050N08NM5CGSCATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	80 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	16A (Ta), 99A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	6V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,8V @ 49µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2900 pF @ 40 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-WHTFN-9-1
Pakke/hus	9-PowerWDFN