Name: IQE006NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 23.0375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IQE006NE2LM5SCATMA1
DigiKeys varenummer	448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IQE006NE2LM5SCATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Producentens standard leveringstid	14 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Overflademontering PG-WHSON-8-1
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IQE006NE2LM5SCATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	25 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	47A (Ta), 310A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	0,58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	5453 pF @ 12 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-WHSON-8-1
Pakke/hus	8-PowerWDFN