Name: IQD009N06NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGATMA1TR-ND
Price: 32.4875 DKK
Availability: OutOfStock

N-kanal 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Overflademontering PG-TTFN-9-U02

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IQD009N06NM5CGATMA1
DigiKeys varenummer	448-IQD009N06NM5CGATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQD009N06NM5CGATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IQD009N06NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IQD009N06NM5CGATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Producentens standard leveringstid	61 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Overflademontering PG-TTFN-9-U02
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IQD009N06NM5CGATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Category Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,3V @ 163µA
Mfr Infineon Technologies	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 12000 pF @ 30 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 3W (Ta), 333W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 60 V	Leverandørs enhedspakning PG-TTFN-9-U02
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 42A (Ta), 445A (Tc)	Pakke/hus 9-PowerTDFN
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 6V, 10V	Grundlæggende varenummer IQD009
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 0,9mOhm @ 50A, 10V