IPP65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPP65R310CFDXKSA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended

Infineon Technologies

På lager: 216

Enhedspris : 18,38000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 0

Enhedspris : 0,00000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 0

Enhedspris : 16,37310 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 0

Enhedspris : 8,19743 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 1.344

Enhedspris : 32,96000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 869

Enhedspris : 20,25000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPP65R310CFDXKSA1
DigiKeys varenummer	448-IPP65R310CFDXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPP65R310CFDXKSA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 11,4A (Tc) 104,2W (Tc) Hulmontering PG-TO220-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	11,4A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	310mOhm @ 4,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 440µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1100 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	104,2W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO220-3
Pakke/hus	TO-220-3
Grundlæggende varenummer	IPP65R310