IPP086N10N3GXKSA1 er ikke på lager og kan placeres på restordre.
Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

IRFB4410ZPBF
Infineon Technologies
På lager: 1.867
Enhedspris : 13,29000 kr.
Datablad

Similar

CSD19533KCS
Texas Instruments
På lager: 2.385
Enhedspris : 16,19000 kr.
Datablad

Similar

FDP100N10
onsemi
På lager: 467
Enhedspris : 28,83000 kr.
Datablad

Similar

IXFP130N10T
IXYS
På lager: 0
Enhedspris : 14,96420 kr.
Datablad

Similar

PHP18NQ10T,127
Nexperia USA Inc.
På lager: 0
Enhedspris : 4,12961 kr.
Datablad

Similar

PSMN009-100P,127
Nexperia USA Inc.
På lager: 0
Enhedspris : 9,71209 kr.
Datablad

Similar

PSMN015-100P,127
Nexperia USA Inc.
På lager: 0
Enhedspris : 7,10468 kr.
Datablad

Similar

PSMN016-100PS,127
Nexperia USA Inc.
På lager: 0
Enhedspris : 6,13475 kr.
Datablad

Similar

RJK1001DPP-A0#T2
Renesas Electronics Corporation
På lager: 0
Enhedspris : 47,02000 kr.
Datablad

Similar

STP100N10F7
STMicroelectronics
På lager: 4
Enhedspris : 17,48000 kr.
Datablad

Similar

STP120NF10
STMicroelectronics
På lager: 17.875
Enhedspris : 31,02000 kr.
Datablad
Se og sammenlign alle erstatningsvarer
N-kanal 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Hulmontering PG-TO220-3
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPP086N10N3GXKSA1

DigiKeys varenummer
448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Producenter
Infineon Technologies
Producentens varenummer
IPP086N10N3GXKSA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Producentens standard leveringstid
26 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Hulmontering PG-TO220-3
Datablad
 Datablad
EDA/CAD-modeller
IPP086N10N3GXKSA1 Modeller
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Mfr
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Emballage
Rør
Varestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
6V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
8,6mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
3,5V @ 75µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3980 pF @ 50 V
FET-funktionalitet
-
Effektspredning (maks.)
125W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Klasse
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Hulmontering
Leverandørs enhedspakning
PG-TO220-3
Pakke/hus
TO-220-3
Grundlæggende varenummer
IPP086
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

0 på lager
Tjek leveringstid
Anmod om besked når varen er på lager
Antal
Alle priser er i DKK
Rør
Antal Enhedspris Udv. pris
115,09000 kr.15,09 kr.
507,38660 kr.369,33 kr.
1006,63380 kr.663,38 kr.
5005,31376 kr.2.656,88 kr.
1.0004,88936 kr.4.889,36 kr.
2.0004,53245 kr.9.064,90 kr.
5.0004,39488 kr.21.974,40 kr.
Producenters standard pakke
Bemærkning: På grund af DigiKeys værditilvæksttjenester kan emballagetypen ændre sig, når produktet købes i mængder under standardpakken.
Enhedspris uden moms:15,09000 kr.
Enhedspris med moms:18,86250 kr.
Tilhørende produktSe alle
9 Elementer
1EDN7512BXTSA1

1EDN7512BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

3,81000 kr.
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

4,45000 kr.
2ED2184S06FXUMA1

2ED2184S06FXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

11,80000 kr.
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

6,97000 kr.
IRS2011STRPBF

IRS2011STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

7,03000 kr.
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

4,84000 kr.
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

13,67000 kr.
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

5,81000 kr.
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

17,03000 kr.