IPN80R900P7ATMA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.
Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 878
Enhedspris : 11,32000 kr.
Datablad
N-kanal 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Overflademontering PG-SOT223
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.
N-kanal 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Overflademontering PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R900P7ATMA1

DigiKeys varenummer
IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR)
IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT)
IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter
Producentens varenummer
IPN80R900P7ATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Overflademontering PG-SOT223
Datablad
 Datablad
EDA/CAD-modeller
IPN80R900P7ATMA1 Modeller
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Mfr
Serie
Emballage
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Varestatus
Forældet
FET-type
Teknologi
Afladning til kildespænding (Vdss)
800 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
3,5V @ 110µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 500 V
FET-funktionalitet
-
Effektspredning (maks.)
7W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Klasse
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Overflademontering
Leverandørs enhedspakning
PG-SOT223
Pakke/hus
Grundlæggende varenummer
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

Forældet
Dette produkt produceres ikke længere. Se Erstatningsvarer.