Name: IPM018N10NM5LF2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND
Price: 82.025 DKK
Availability: OutOfStock

Nyt produkt

N-kanal 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Overflademontering PG-HSOG-4-1

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPM018N10NM5LF2AUMA1
DigiKeys varenummer	448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Beskrivelse	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Producentens standard leveringstid	61 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Overflademontering PG-HSOG-4-1
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPM018N10NM5LF2AUMA1 Modeller

Produktegenskaber

cms-filter-similar-products

cms-show-empty-attributes

Category Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 1,7mOhm @ 100A, 15V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,45V @ 240µA
Serie OptiMOS™ 5	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 178 nC @ 10 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 14000 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 3,8W (Ta), 349W (Tc)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 30A (Ta), 285A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-HSOG-4-1
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 10V, 15V	Pakke/hus 4-PowerSFN