Name: IPI076N12N3GAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI076N12N3GAKSA1-ND
Price: 36.2125 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPI076N12N3GAKSA1
DigiKeys varenummer	IPI076N12N3GAKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPI076N12N3GAKSA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 120 V 100A (Tc) 188W (Tc) Hulmontering PG-TO262-3
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPI076N12N3GAKSA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 130µA
Mfr Infineon Technologies	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 101 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Rør	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 6640 pF @ 60 V
Varestatus Last Time Buy	Effektspredning (maks.) 188W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Hulmontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 120 V	Leverandørs enhedspakning PG-TO262-3
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 100A (Tc)	Pakke/hus TO-262-3 lange ledninger, I2PAK, TO-262AA
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 10V	Grundlæggende varenummer IPI076
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 7,6mOhm @ 100A, 10V