IPB80N06S2H5ATMA2 er ikke på lager og kan placeres på restordre.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

STMicroelectronics

På lager: 697

Enhedspris : 163,00000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPB80N06S2H5ATMA2
DigiKeys varenummer	IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Tape & Reel (TR) IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Afskåret tape (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPB80N06S2H5ATMA2
Beskrivelse	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Producentens standard leveringstid	9 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPB80N06S2H5ATMA2 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	55 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	5,2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 230µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	4400 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	300W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-3-2
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	IPB80N