IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies | Enkelt FET’er, MOSFET’er

IPB80N06S208ATMA2 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

IXYS

På lager: 0

Enhedspris : 17,55397 kr.

Similar

Vishay Siliconix

På lager: 1.573

Enhedspris : 25,36000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPB80N06S208ATMA2
DigiKeys varenummer	IPB80N06S208ATMA2-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPB80N06S208ATMA2
Beskrivelse	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPB80N06S208ATMA2 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 96 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Serie OptiMOS™	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 2860 pF @ 25 V
Emballage Tape & Reel (TR)	Effektspredning (maks.) 215W (Tc)
Varestatus Forældet	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Klasse Automotive
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Kvalifikation AEC-Q101
Afladning til kildespænding (Vdss) 55 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 80A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-TO263-3-2
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 10V	Pakke/hus TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 7,7mOhm @ 58A, 10V	Grundlæggende varenummer IPB80N
Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 150µA