IPB60R299CPAATMA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPB60R299CPAATMA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended

Infineon Technologies

På lager: 1.375

Enhedspris : 20,67000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 8.936

Enhedspris : 35,65000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPB60R299CPAATMA1
DigiKeys varenummer	448-IPB60R299CPAATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPB60R299CPAATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IPB60R299CPAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPB60R299CPAATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPB60R299CPAATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	600 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	299mOhm @ 6,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 440µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1100 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	96W (Tc)
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-3-2
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	IPB60R299