IPB60R280C6ATMA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPB60R280C6ATMA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended

Infineon Technologies

På lager: 3.738

Enhedspris : 15,55000 kr.

Similar

Rohm Semiconductor

På lager: 3.937

Enhedspris : 18,50000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 1.659

Enhedspris : 17,73000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 925

Enhedspris : 22,98000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPB60R280C6ATMA1
DigiKeys varenummer	IPB60R280C6ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPB60R280C6ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 600 V 13,8A (Tc) 104W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C6
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	600 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	13,8A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	280mOhm @ 6,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 430µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	950 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	104W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-3
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	IPB60R280