IPB60R190P6ATMA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPB60R190P6ATMA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Infineon Technologies

På lager: 112

Enhedspris : 18,12000 kr.

Similar

Rohm Semiconductor

På lager: 811

Enhedspris : 30,70000 kr.

Similar

Vishay Siliconix

På lager: 0

Enhedspris : 12,90000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 4.154

Enhedspris : 28,25000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 0

Enhedspris : 11,88013 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPB60R190P6ATMA1
DigiKeys varenummer	IPB60R190P6ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPB60R190P6ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P6
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	600 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	20,2A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	190mOhm @ 7,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 630µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1750 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	151W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-3
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	IPB60R