Name: IPB108N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB108N15N3GATMA1TR-ND
Price: 34.7125 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPB108N15N3GATMA1
DigiKeys varenummer	IPB108N15N3GATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IPB108N15N3GATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) IPB108N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPB108N15N3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Producentens standard leveringstid	25 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPB108N15N3GATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 160µA
Mfr Infineon Technologies	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 3230 pF @ 75 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 214W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 150 V	Leverandørs enhedspakning PG-TO263-3
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 83A (Tc)	Pakke/hus TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 8V, 10V	Grundlæggende varenummer IPB108
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 10,8mOhm @ 83A, 10V