Name: IPB038N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB038N12N3GATMA1TR-ND
Price: 41.275 DKK
Availability: InStock

Behøver du hjælp?

Feedback

Om DigiKey Markedsplads Sælg på DigiKey.com Karrierer Site-kort Digitale løsninger Nyhedsrum

Hjælp og support Ordrestatus Forsendelsesomkostninger/muligheder Returnerings- og ordreproblemer

(+45) 35 15 85 67 eu.support@digikey.com

IPB038N12N3GATMA1
DigiKeys varenummer	IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPB038N12N3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Producentens standard leveringstid	8 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPB038N12N3GATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	120 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	3,8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 270µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	211 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	13800 pF @ 60 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	300W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-3
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	IPB038

Enhedspris uden moms:	33,02000 kr.
Enhedspris med moms:	41,27500 kr.

IPB038N12N3GATMA1