Name: IPB027N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB027N10N3GATMA1TR-ND
Price: 59.1375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPB027N10N3GATMA1
DigiKeys varenummer	IPB027N10N3GATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IPB027N10N3GATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) IPB027N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPB027N10N3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Producentens standard leveringstid	17 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPB027N10N3GATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 275µA
Mfr Infineon Technologies	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 206 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 14800 pF @ 50 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 300W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 155°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Leverandørs enhedspakning PG-TO263-3
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 120A (Tc)	Pakke/hus TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 6V, 10V	Grundlæggende varenummer IPB027
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 2,7mOhm @ 100A, 10V