Name: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 68.825 DKK
Availability: InStock

N-kanal 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3-2

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPB021N10NM5LF2ATMA1
DigiKeys varenummer	448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Beskrivelse	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Producentens standard leveringstid	17 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPB021N10NM5LF2ATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 15V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,9V @ 280µA
Serie OptiMOS™ 5	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 206 nC @ 10 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 17000 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 30A (Ta), 176A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-TO263-3-2
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 10V, 15V	Pakke/hus TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB