Name: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 46.075 DKK
Availability: InStock

Nyt produkt

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPB021N10NM5LF2ATMA1
DigiKeys varenummer	448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Beskrivelse	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Producentens standard leveringstid	20 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IPB021N10NM5LF2ATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	30A (Ta), 176A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V, 15V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	2mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,9V @ 280µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	17000 pF @ 50 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-3-2
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB