IPA65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPA65R420CFDXKSA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

På lager: 199

Enhedspris : 20,80000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 355

Enhedspris : 9,79000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 58

Enhedspris : 8,26000 kr.

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 49

Enhedspris : 15,10000 kr.

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 32

Enhedspris : 16,26000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPA65R420CFDXKSA1
DigiKeys varenummer	IPA65R420CFDXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPA65R420CFDXKSA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 8,7A (Tc) 31,2W (Tc) Hulmontering PG-TO220-3-111
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	8,7A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	420mOhm @ 3,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 340µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	870 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	31,2W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO220-3-111
Pakke/hus	TO-220-3 Full Pack
Grundlæggende varenummer	IPA65R420