IPA50R299CPXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPA50R299CPXKSA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Direkte

Vishay Siliconix

På lager: 0

Enhedspris : 20,00000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 407

Enhedspris : 17,61000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 902

Enhedspris : 30,83000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 980

Enhedspris : 35,09000 kr.

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 99

Enhedspris : 23,22000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IPA50R299CPXKSA1
DigiKeys varenummer	IPA50R299CPXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IPA50R299CPXKSA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Hulmontering PG-TO220-3-31
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	550 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	299mOhm @ 6,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 440µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1190 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	104W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO220-3-31
Pakke/hus	TO-220-3 Full Pack
Grundlæggende varenummer	IPA50R